霍爾離子源

霍爾離子源eH2000eH30001978 年考夫曼博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 和霍爾離子源 . 美國考夫曼離子源歷經 40余年沉淀及發展已得到客戶的極大認可。離子源廣泛用于離子清洗, 離子蝕刻, 輔助鍍膜, 離子濺射沉積領域

霍爾離子源eH2000eH3000技術參數：

KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列

eH 系列霍爾離子源結構緊湊, 束流大、能量低，輻照面積大,可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面, 為工藝過程提供輔助鍍膜，預清洗等多種功能，豐富的型號滿足科研、工業等多種應用，具有

如下特點：

無柵網

高電流低能量

發散光束 >45度

可快速更換陽極模塊

多種中和器可選擇

美國 KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列

美國 KRI 考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源，滿足各類應用. 考夫曼離子源 KDC 提供一套完整的方案，包含考夫曼離子源, 電子中和器, 電源供應器等等，可以直接整合在各類真空設備中, 例如實驗室小型研發, 鍍膜機, load lock, 濺射系統, 卷繞鍍膜機和線性鍍膜.

KRI 射頻離子源 Gridded RFICP 系列

射頻離子源 RFICP 系列，通過射頻線圈產生等離子體, 由柵網控制離子束的能量和方向, 是制造精密薄膜和表面處理的得力工具, 有效改善膜層致密性、光透射、均勻性、附著力等，為工藝提供穩定支持。

RFICP系列提供完整的產品組合, 包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等